型号:EPC2001 | 类别:FET - 单 | 制造商:EPC |
封装:模具剖面(11 焊条) | 描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
系列 | eGaN® |
制造商 | EPC |
FET型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 25A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 7 毫欧 @ 25A,5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 5mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 8nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 850pF @ 50V |
功率_最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 模具剖面(11 焊条) |
供应商设备封装 | 模具剖面(11 焊条) |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市瑞智芯科技有限公司 | 李先生0755-83089975 |
深圳市立锜源电子有限公司 | 李13717008271 |
深圳市力拓辉电子有限公司 | 李进0755-82568894 |
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